Новости науки | |
25.02.01 Одноэлектронный инвертор. | |
В начале 80-х годов работы профессора МГУ К.К.Лихарева заложили основу нового перспективного направления твердотельной электроники, так называемой "одноэлектроники". В основе одноэлектроники лежит квантование электрического заряда. В простейшем случае связанные с этим фактом явления (так называемая "кулоновская блокада") можно наблюдать при исследовании прохождения тока через такую систему: микроскопический проводящий островок, отделенный от двух контактных проводов тонкими диэлектрическими барьерами. Действительно, подобная конструкция имеет емкость C, и чтобы "посадить" на островок один электрон, необходимо приложить напряжение, равное e/2C. Если емкость достаточно мала (1 фемтофарад, к примеру), то напряжение будет заметным (порядка сотни микровольт). Ясно, что в отличие от обычных, "многоэлектронных" устройств, в "одноэлектронных" устройствах "работает" небольшое число электронов. Выгода таких устройств очевидна - они имеют очень малые размеры и потребляют мало энергии. Естественно, для изготовления работающих "одноэлектронных" приборов необходимо создать и исследовать свойства логических элементов на основе одноэлектронных транзисторов. Одним из базовых структурных элементов транзисторной логики является инвертор - устройство, преобразующее высокое входное напряжение в низкое выходное и наоборот. Недавно исследовательская группа из Голландии [1] продемонстрировала работающий одноэлектронный инвертор (см.рис.). При температуре 25 мК удалось достичь усиления по напряжению 2.6, коэффициент усиления по напряжению оставался больше единицы до температуры 140 мК.
Конечно, желательно иметь устройства, работающие при комнатной температуре. Однако решить такую задачу непросто: для реализации одноэлектронных транзисторов, имеющих при комнатной температуре коэффициент усиления по напряжению больше единицы, необходимо существенное уменьшение емкости структурных элементов. А это потребует создания структур с нанометровыми размерами по всем трем измерениям. 1. C.P.Heij, P.Hadley, J.E.Mooij. Appl.Phys.Lett. v.78, p.1140 (2001). | |
|