Новости науки | ||
07.11.01. Лазерная модификация поверхности – путь к магнитной памяти. | ||
Множество исследовательских групп во всем мире ищет пути
увеличения плотности магнитной записи. Одной из важнейших задач
является развитие методов формирования магнитных наноструктур.
Совместная группа американских и российских ученых научилась
формировать массивы ферромагнитных наноостровков с помощью лазера.
Ученые из института прикладной физики и института физики
микроструктур (оба находятся в Нижнем Новгороде) в содружестве с
американскими коллегами из университета Небраска применили для
формирования магнитных наноструктур лазерную интерференционную
литографию [1]. Исходные пленки Co-C толщиной 40 нм с равным
содержанием кобальта и углерода, полученные путем совместного
напыления на поверхность стекла, не проявляли магнитных
(ферромагнитных) свойств. С помощью эксимерного лазера с длиной
волны 308 нм на поверхности пленки формировалась интерференционная
картина с периодом, равным половине длины волны. В местах
максимума интенсивности излучения происходил локальный лазерный
отжиг пленки, приводящий к появлению ферромагнитных свойств.
Микроскопические исследования показали, что в исходной Co-C фазе
нанокристаллы кобальта имеют размер 1-2 нм и не проявляют
магнитных свойств, а после лазерного отжига кластеры кобальта
разрастаются до размеров 10-25 нм (рис.1), что и обуславливает
появление ферромагнетизма. Относительная простота подобной
лазерной нанолитографии делает ее достаточно перспективным методом
для получения упорядоченных массивов магнитных наноостровков.
Интересно отметить, что в данном вопросе возможен и противоположный подход, когда
изначально качественные ферромагнитные пленки подвергаются деструктивному воздействию.
Таким путем пошли французские (CNRS) и английские исследователи (университет Глазго) [2]. В
качестве исходного материала они брали многослойные пленки Co/Pt с хорошими магнитными
свойствами и подвергали их бомбардировке ионами. Облучение поверхности хорошо
сфокусированным пучком ионов галлия приводило к разрушению ферромагнитного состояния
пленки в местах попадания ионов.
1. M.Zheng, M.Yu, Y.Liu et al. Appl.Phys.Lett. v.79, 2606 (2001).
2. P.Warin, R.Hyndman, J.Glerak et al. J.Appl.Phys. v.90, 3850 (2001).
Источник информации - бюллетень ПерсТ, выпуск 20 за 2001 г.
| ||
|