Новости науки | ||
06.03.09. Химическое переключение поляризации в сегнетоэлектрике | ||
В связи с все большим распространением пленочных технологий в физике
сегнетоэлектрических материалов большое значение приобретают поверхностные эффекты, которые при
нанометровых (единицы-десятки) толщинах пленки доминируют над объемными свойствами материала.
В частности, некоторые исследования посвящены взаимосвязи химического состава окружающей среды
и сегнетоэлектрических свойств пленки. Так, в прошлом году эксперименты выявили, что
сегнетоэлектрические поверхности с противоположной полярностью по-разному адсорбируют молекулы,
а уже в новом году ученым из университетов Иллинойса и Пенсильвании удалось наблюдать обратный
эффект – химическое окружение управляет ориентацией электрической поляризации пленки
сегнетоэлектрика подобно электрическому напряжению.
Эксперименты производили в атмосфере кислорода при температуре 600 -1000 К с пленками
титаната свинца PbTiO3, выращенными на подложке SrTiO3. Прослойка из
проводящего SrRuO3 выполняла роль металлического контакта, в котором происходит
электронная компенсация связанных зарядов на нижней поверхности сегнетоэлектрической пленки, в то
время как верхняя граница ее свободна и подвержена действию кислорода (рис. 1). Для измерения
электрической поляризации пленки применяли рентгенографический метод (synchrotron x-ray scattering),
который позволяет очень точно определять положение атомов и их смещение в поляризованном
состоянии, и в то же время не чувствителен к поверхностным зарядам. В результате наблюдали
характерные петли сегнетоэлектрического гистерезиса, только вместо электрического поля по
горизонтальной оси откладывалась величина давления кислорода. Как значения поляризации насыщения,
так и ширина петли уменьшалась с температурой, и при температуре выше точки Кюри (920 К)
сегнетоэлектрический гистерезис исчезал, доказывая тем самым, что данное явление обусловлено именно
переключением поляризации, а не изменением химического состава вещества, поскольку в последнем
случае должен был бы наблюдаться рост эффекта с температурой.
Чем же обусловлен данный эффект? Дело в ионной компенсации связанных зарядов на поверхности
материала. Например, на поверхности тех областей пленки, где поляризация направлена вверх
(положительный поверхностный связанный заряд) могут оседать отрицательно заряженные ионы
кислорода O2-, или, наоборот, с поверхности доменов с противоположной ориентацией
поляризации эти ионы могут отрываться. Каждый из этих механизмов способен обеспечить
нейтрализацию доменов одной полярности, действуя как эффективное электрическое поле.
Результаты данных исследований, с одной стороны, указывают на важность учета химических
свойств атмосферы, в которой находится сегнетоэлектрик, а с другой – открывают перспективы
практического использования химических процессов как нового метода создания доменных структур в
сегнетоэлектрических пленках, включая нанесение узоров сквозь маску, изготовленную литографическим
образом.
Источник информации - заметка А.Пятакова в бюллетене
ПерсТ, выпуск 3 за 2009 г.
| ||
|