Японские ученые создали высокоэффективный светодиод белого света на основе гетероструктур InGaN/GaN.

Cотрудники японской корпорации Nichia разработали высокоэффективный светодиоды белого света; светодиод малой площади демонстрирует эффективностьюдо 13 8лм/Вт при 20 мА, а светодиод большей площади - мощность до 106 лм при 350мА, что превышает светотдачу ламп дневного света.

Ультра-эффективные белые светодиоды созданы на основе синих чипов с гетероструктурами типа InGaN/GaN, покрытых YAG-люминофором. В чипах использована структурированная сапфировая подложка и р-контакты на основе оксидов олова и цинка. Площадь синих чипов составляла 240 x 420 мкм², а их квантовая эффективность достигала 63.3 % при токе 20 мА. Световой поток на основе таких светодиодов достигал 8.6 лм, а светоотдача – 138 лм/Вт (КПД – 41.7 %). Это в полтора раза превышает светоотдачу ламп дневного света (90 лм/Вт) и в несколько раз превышает светоотдачу обычных ламп накаливания.

Мощные синие светодиоды на основе чипов большой площади (1 x 1 мм²) имели выходную мощность до 458 мВт при токе 350 мА; а белые светодиоды давали световой поток до 106 лм при 350мА и светоотдачу – до 92 лм/Вт (КПД – 27.7 %). Кроме того, световой поток мощного белого светодиода достигал 402 лм при токе через диод 2 А, что соответствует полному световому потоку 30-ти ваттной лампы накаливания.

Таким образом, исследователи Nichia сделали значительный шаг в разработке белых светодиодов для широкого круга задач и подтвердили свой статус одного из лидеров в производстве высокоэффективных и мощных белых светодиодов. Можно ожидать, что уже в ближайшие пять лет высокоэффективные и долгоживущие светодиоды на основе гетероструктур постепенно начнут заменять обычные, менее эффективные, источники света.

Источник информации - заметка М.Баргутдинова в бюллетене ПерсТ, выпуск 20 за 2006 г.