Американские ученые разработали методику, снимающую проблему наноконтактов к нанопроводам.
В последние годы значительные усилия были направлены на исследования полупроводниковых нанотрубок и нанопроводов. Их предполагается использовать в качестве "строительных блоков" электронных устройств нового поколения, которые заменят обычные кремниевые транзисторы. Первым шагом на пути интеграции отдельных наноэлементов в работающее устройство должна стать разработка технологии изготовления соответствующих электрических контактов. К сожалению, размеры металлических электродов, которые удается изготовить с помощью хорошо развитых литографических методов, оказываются намного больше размеров самих элементов, что сводит на нет потенциальную выгоду от перехода к наномасштабам.
Специалистам из Гарвардского Университета (США) удалось разработать методику, снимающую проблему наноконтактов. Эта методика основана на селективной трансформации кремниевых нанопроводов в монокристаллические металлические нанопровода NiSi. Последние характеризуются очень низким удельным электросопротивлением (~ 10 мкОм см) и высокой плотностью транспортного тока разрушения (свыше 108 А/см2). Американцы также сконструировали квазиодномерные гетероструктуры NiSi/Si с атомарно резкими границами раздела металл/полупроводник и изготовили из них полевые транзисторы. Существенно, что новая технология полностью совместима с обычной кремниевой микроэлектроникой. Это позволяет надеяться на реальный практический выход уже в самом ближайшем будущем.
Источник информации - заметка в бюллетене
ПерсТ, выпуск 14 за 2004 г.
Рис.1. Наноприборы NiSi/Si/NiSi.
(a) Схематическое изображение кремниевого нанопровода, пересекающего три нанопровода Si/SiO2, которые выполняют функцию маски. После напыления никеля, отжига и удаления нанопроводов Si/SiO2, образуется нанопровод с чередующимися областями NiSi и Si.
(b) Изображение гетероструктуры NiSi/Si/NiSi, полученное методом просвечивающей электронной микроскопии. Стрелки указывают на границы раздела NiSi/Si. Длина масштабной линейки 10 нм. Вставка: изображение гетероструктуры до удаления маски Si/SiO2. Длина масштабной линейки 20 нм.